设备简介：

要用于在半导体制造过程中对外延层的厚度进行精确测量。该设备先进的光学系统 ，能够非破坏性地对外延层进行厚度测量， 可满足各种材料衬底晶圆的外延膜厚测量 。

硅片外延层厚度测量（6’&8’&12’）

三代半导体碳化硅外延层(4’&6’&8’)

SOI晶圆顶层硅厚度测量（6’&8’&12’）

测量范围： 0.2-370 um(Si/SiC)

测量精度：<0.01um

产品特点：

高精度：采用高分辨率高稳定傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)，能够实现对外延层厚度的精确测量，误差极小。

快速测量：设备具备快速传输和数据处理能力，可实现实时测量，提高生产效率。

自动化：设备具有自动化程度高的特点，可自动识别和测量外延层厚度，减少人工干预。

广泛应用：适用于各种类型和规格的半导体晶圆， 满足各种材料衬底晶圆的外延膜厚测量需求。

易于维护：设备结构简单，维护方便，降低运营成本。

对标机型：

ONTO FTIR系列